液封直拉法（LEC）技術可生長適用于直接離子注入的高純非摻雜半絕緣單晶或多晶等。
主要特點：
1.我公司可制作大規格坩堝（最大直徑12inch，最大高度17inch）
2.純度高（>99.99%）；
3. 1500℃下，a方向的熱導率是c方向的20倍以上，有利于形成單晶生長所需的溫度梯度。
產品應用
用于LEC法合成GaAs、InP、GaP等半導體單晶及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物單晶。

VGF坩堝是應用于垂直梯度凝固法（VGF）技術中的一類坩堝。目前，VGF技術作為單晶生長的熱門技術，是微光電子和半導體產業生長GaAs單晶和InP單晶的良好選擇。
主要特點：
1.可制作大規格坩堝（最大直徑8inch，最大高度18inch）；
2.純度>99.99%
3.使用次數多(具有優異的層間結構)；
產品應用
應用于原位合成GaAs、InP等半導體單晶。

分子束外延（MBE）法是生產砷化鎵外延片的方法之一，該法可制出多元、多層、同質、異質、超晶格和量子阱等結構的外延材料。晶體純度高，化學穩定性好。
主要特點：
1. 可制作大規格坩堝（最大直徑12inch，最大高度17inch）；
2. 密度高（最高可達2.2g/cm3）；
3. 純度高（>99.99%）；
4.不易開裂（層間強度高）。
產品應用
主要用于MBE法合成半導體單晶及Ⅲ-Ⅴ族化合物。

OLED是正在新興的一種先進顯示技術。 OLED坩堝作為OLED生產線上蒸發元的主要容器使用。
產品特點
純度高達99.999%
高溫下放氣率極低
厚度均勻，加熱一致性好
優異的熱導率和抗熱震性
易清洗和反復使用
化學惰性，在高溫下與酸、堿不發生化學反應