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氮化硼結構件任意尺寸都可加工
氮化硼陶瓷與氧化鋁陶瓷相比,優點耐溫高,真空或氣氛保護下使用溫度2000度,氧化鋁不超過1700度.抗熱震非常好，升降溫再快氮化硼陶瓷也不會開裂,1000度爐內保溫20分鐘取出來吹風急冷連續反復上百次不會開裂.氧化鋁陶瓷急冷急熱易開裂.耐腐蝕，耐酸堿,電絕緣強度是氧化鋁陶瓷的3 -4倍.氮化硼陶瓷金屬材料不反應不粘結,如黑色金屬,鐵,銅,不銹鋼,鉍,鍺,鋁,銻,錫,鎘,鉛,鎳,鋅,黃銅,銦,鎂；玻璃熔體,鈉玻璃,冰晶石等.硅熔鹽:爐渣氟化物等不反應不粘結,可以作為其高溫燒結熔煉用盛裝容器,坩堝,承燒板等.氮化硼易吸潮,坩堝不用時不要放置于潮濕區域.密封保存,不能用洗,表面臟了直接用砂紙擦除.所有尺寸都可以按客戶的要求加工.￥ 0.00立即購買
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BN光譜儀陶瓷片斯派克，布魯克，島津，貝爾德，北京納克，牛津光譜儀，山東東儀等各國光譜儀墊片可加工任意尺寸
氮化硼陶瓷與氧化鋁陶瓷相比,優點耐溫高,真空或氣氛保護下使用溫度2000度,氧化鋁不超過1700度.抗熱震非常好，升降溫再快氮化硼陶瓷也不會開裂,1000度爐內保溫20分鐘取出來吹風急冷連續反復上百次不會開裂.氧化鋁陶瓷急冷急熱易開裂.耐腐蝕，耐酸堿,電絕緣強度是氧化鋁陶瓷的3 -4倍.氮化硼陶瓷金屬材料不反應不粘結,如黑色金屬,鐵,銅,不銹鋼,鉍,鍺,鋁,銻,錫,鎘,鉛,鎳,鋅,黃銅,銦,鎂；玻璃熔體,鈉玻璃,冰晶石等.硅熔鹽:爐渣氟化物等不反應不粘結,可以作為其高溫燒結熔煉用盛裝容器,坩堝,承燒板等.氮化硼易吸潮,坩堝不用時不要放置于潮濕區域.密封保存,不能用洗,表面臟了直接用砂紙擦除.所有尺寸都可以按客戶的要求加工.￥ 0.00立即購買
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氮化硼坩堝可加工任意尺寸
氮化硼陶瓷與氧化鋁陶瓷相比,優點耐溫高,真空或氣氛保護下使用溫度2000度,氧化鋁不超過1700度.抗熱震非常好，升降溫再快氮化硼陶瓷也不會開裂,1000度爐內保溫20分鐘取出來吹風急冷連續反復上百次不會開裂.氧化鋁陶瓷急冷急熱易開裂.耐腐蝕，耐酸堿,電絕緣強度是氧化鋁陶瓷的3 -4倍.氮化硼陶瓷金屬材料不反應不粘結,如黑色金屬,鐵,銅,不銹鋼,鉍,鍺,鋁,銻,錫,鎘,鉛,鎳,鋅,黃銅,銦,鎂；玻璃熔體,鈉玻璃,冰晶石等.硅熔鹽:爐渣氟化物等不反應不粘結,可以作為其高溫燒結熔煉用盛裝容器,坩堝,承燒板等.氮化硼易吸潮,坩堝不用時不要放置于潮濕區域.密封保存,不能用洗,表面臟了直接用砂紙擦除.所有尺寸都可以按客戶的要求加工.￥ 0.00立即購買
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OLED坩堝
OLED是正在新興的一種先進顯示技術。 OLED坩堝作為OLED生產線上蒸發元的主要容器使用。
產品特點
純度高達99.999%
高溫下放氣率極低
厚度均勻，加熱一致性好
優異的熱導率和抗熱震性
易清洗和反復使用
化學惰性，在高溫下與酸、堿不發生化學反應￥ 0.00立即購買
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MBE坩堝
分子束外延（MBE）法是生產砷化鎵外延片的方法之一，該法可制出多元、多層、同質、異質、超晶格和量子阱等結構的外延材料。晶體純度高，化學穩定性好。
主要特點：
1. 可制作大規格坩堝（最大直徑12inch，最大高度17inch）；
2. 密度高（最高可達2.2g/cm3）；
3. 純度高（>99.99%）；
4.不易開裂（層間強度高）。
產品應用
主要用于MBE法合成半導體單晶及Ⅲ-Ⅴ族化合物。￥ 0.00立即購買
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VGF坩堝
VGF坩堝是應用于垂直梯度凝固法（VGF）技術中的一類坩堝。目前，VGF技術作為單晶生長的熱門技術，是微光電子和半導體產業生長GaAs單晶和InP單晶的良好選擇。
主要特點：
1.可制作大規格坩堝（最大直徑8inch，最大高度18inch）；
2.純度>99.99%
3.使用次數多(具有優異的層間結構)；
產品應用
應用于原位合成GaAs、InP等半導體單晶。￥ 0.00立即購買
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LEC坩堝
液封直拉法（LEC）技術可生長適用于直接離子注入的高純非摻雜半絕緣單晶或多晶等。
主要特點：
1.我公司可制作大規格坩堝（最大直徑12inch，最大高度17inch）
2.純度高（>99.99%）；
3. 1500℃下，a方向的熱導率是c方向的20倍以上，有利于形成單晶生長所需的溫度梯度。
產品應用
用于LEC法合成GaAs、InP、GaP等半導體單晶及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物單晶。￥ 0.00立即購買
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PBN舟
水平定向凝固法合成多晶，定向凝固爐分為3個溫區，以砷化鎵多晶為例，砷單質在低溫區（約630 ℃）升華，通過中溫區后在高溫區（1 250~1 255 ℃）與鎵逐漸化合為砷化鎵多晶。PBN舟用于高溫區的反應容器。
主要特點：
1.可制作大規格舟（最大高度為17inch）；
2.密度高（最高可達2.20g/cm3）；
3.純度高（>99.99%）；
4.不易開裂（層間強度高）
5.耐高溫（真空中最高可耐受2300℃高溫）；
6.抗熱震性好；
7.使用壽命長 。
產品應用：
用于水平定向凝固法生長Ⅲ-Ⅴ族化合物多晶等。￥ 0.00立即購買
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PBN板材墊片
目前常規的絕緣材料存在不耐高溫、純度低、高溫下釋放氣體、韌性差、高溫下不絕緣、易被腐蝕等缺點，PBN絕緣板可解決這些問題。
主要特點：
1.在真空中最高可耐受2300℃，在氨氣氛下最高可耐受2700℃
2. 純度高，高溫下不釋放氣體雜質（>99.99%）
3.韌性好（類似于石墨的六方結構）
4. 高溫絕緣性好（體積電阻系數3.11×1011Ω?cm）
5.強化學惰性，耐酸堿鹽及有機溶劑的腐蝕
6. c方向熱導率低，能夠阻擋熱量向下傳導，減少熱量的損失
產品應用：
用于真空、高溫、MBE設備等領域的絕緣墊板、墊片、支架、橋架等￥ 0.00立即購買
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氧化鋁基片基板結構件
氧化鋁陶瓷是一種以氧化鋁（Al2O3）為主體的陶瓷材料，用于厚膜集成電路。氧化鋁陶瓷有較好的傳導性、機械強度和耐高溫性。需要注意的是需用超聲波進行洗滌。氧化鋁陶瓷是一種用途廣泛的陶瓷，因為其優越的性能，在現代社會的應用已經越來越廣泛，滿足于日用和特殊性能的需要￥ 0.00立即購買
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非標訂做各種異形氧化鋁剛玉陶瓷坩堝
純度高，耐化學腐蝕性好2、耐溫性好，長期使用在1600℃，短期1800℃3、耐急冷急熱性好，不易炸裂4、注漿成型密度高 適用于各種實驗室金屬、非金屬樣品分析及熔料用。
剛玉坩堝特點：
1、純度高：Al2O3＞99.3%，耐化學腐蝕性好
2、耐溫性好，長期使用在1650℃，短期1800℃
3、耐急冷急熱性好，不易炸裂
4、注漿成型密度高
用 途：燒制彩電粉,熒光粉,稀土材料,貴金屬材料,焙燒高，中，低陶瓷電容器NTC，PTC壓電陶瓷及鈷酸鋰，錳酸鋰粉末的最佳焙燒容器￥ 0.00立即購買
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測溫熱電偶用保護管、絕緣管
氧化鋁陶瓷純度分別為(95/97/99/99.5/99.7/99.8/99.9/99.99)￥ 0.00立即購買
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OLED坩堝
OLED是正在新興的一種先進顯示技術。 OLED坩堝作為OLED生產線上蒸發元的主要容器使用。
產品特點
純度高達99.999%
高溫下放氣率極低
厚度均勻，加熱一致性好
優異的熱導率和抗熱震性
易清洗和反復使用
化學惰性，在高溫下與酸、堿不發生化學反應￥ 0.00立即購買
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MBE坩堝
分子束外延（MBE）法是生產砷化鎵外延片的方法之一，該法可制出多元、多層、同質、異質、超晶格和量子阱等結構的外延材料。晶體純度高，化學穩定性好。
主要特點：
1. 可制作大規格坩堝（最大直徑12inch，最大高度17inch）；
2. 密度高（最高可達2.2g/cm3）；
3. 純度高（>99.99%）；
4.不易開裂（層間強度高）。
產品應用
主要用于MBE法合成半導體單晶及Ⅲ-Ⅴ族化合物。￥ 0.00立即購買
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VGF坩堝
VGF坩堝是應用于垂直梯度凝固法（VGF）技術中的一類坩堝。目前，VGF技術作為單晶生長的熱門技術，是微光電子和半導體產業生長GaAs單晶和InP單晶的良好選擇。
主要特點：
1.可制作大規格坩堝（最大直徑8inch，最大高度18inch）；
2.純度>99.99%
3.使用次數多(具有優異的層間結構)；
產品應用
應用于原位合成GaAs、InP等半導體單晶。￥ 0.00立即購買
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LEC坩堝
液封直拉法（LEC）技術可生長適用于直接離子注入的高純非摻雜半絕緣單晶或多晶等。
主要特點：
1.我公司可制作大規格坩堝（最大直徑12inch，最大高度17inch）
2.純度高（>99.99%）；
3. 1500℃下，a方向的熱導率是c方向的20倍以上，有利于形成單晶生長所需的溫度梯度。
產品應用
用于LEC法合成GaAs、InP、GaP等半導體單晶及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物單晶。￥ 0.00立即購買
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PBN舟
水平定向凝固法合成多晶，定向凝固爐分為3個溫區，以砷化鎵多晶為例，砷單質在低溫區（約630 ℃）升華，通過中溫區后在高溫區（1 250~1 255 ℃）與鎵逐漸化合為砷化鎵多晶。PBN舟用于高溫區的反應容器。
主要特點：
1.可制作大規格舟（最大高度為17inch）；
2.密度高（最高可達2.20g/cm3）；
3.純度高（>99.99%）；
4.不易開裂（層間強度高）
5.耐高溫（真空中最高可耐受2300℃高溫）；
6.抗熱震性好；
7.使用壽命長 。
產品應用：
用于水平定向凝固法生長Ⅲ-Ⅴ族化合物多晶等。￥ 0.00立即購買
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PBN板材墊片
目前常規的絕緣材料存在不耐高溫、純度低、高溫下釋放氣體、韌性差、高溫下不絕緣、易被腐蝕等缺點，PBN絕緣板可解決這些問題。
主要特點：
1.在真空中最高可耐受2300℃，在氨氣氛下最高可耐受2700℃
2. 純度高，高溫下不釋放氣體雜質（>99.99%）
3.韌性好（類似于石墨的六方結構）
4. 高溫絕緣性好（體積電阻系數3.11×1011Ω?cm）
5.強化學惰性，耐酸堿鹽及有機溶劑的腐蝕
6. c方向熱導率低，能夠阻擋熱量向下傳導，減少熱量的損失
產品應用：
用于真空、高溫、MBE設備等領域的絕緣墊板、墊片、支架、橋架等￥ 0.00立即購買
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